【材料分析】
X光繞射與散射技術在磁性顆粒上的檢測
A 樣品: 磁性奈米顆粒薄膜的基本架構
![]() Figure A. Surface topography of the Au/FePt nanoparticle on the PEI functional substrate. |
為了讓鐵鉑磁性顆粒能夠在真正的硬碟商業產品上運用,具有垂直異相性的單層奈米顆粒是一必要的架構。而剛成長直徑約3nm的球形鐵鉑磁性顆粒在微結構上是一個非序化的面心立方(fcc)結構,其磁性上亦是超順磁的表現。 進而為了應用與使其從超順磁轉變成鐵磁性,這些鐵鉑奈米顆粒必須在溫度退火超過550 °C之下使其產生序化的相轉變(非序化的fcc轉變成序化的L10)。然而,在高於300°C的溫度下,這些奈米顆粒會因為表面層分子的破壞,還有表面能 的因素而使得這些奈米顆粒產生聚集、互相黏著以及整體的自我凝聚的架構被破壞。 |
故為了增加單層超晶格結構穩定性作,我們透過使用自我聚合物薄層的化學吸附在表面上的分子繩,來控制在基板上的鐵鉑單奈米顆粒層。 諸如使用polyethylenimine(PEI)聚合物或者 [3-(2-aminoethlyamino)ropyl ]trimethoxysilane(APTS),使其利用化學吸附或是靜電連結作用結合在基板表面上的二氧化矽和在粒子表面上的介面活性劑。 進而遵循這個結構,使用約5nm厚度的金披覆層用來確保在後續的熱退火過程中保持奈米顆粒的完整。 為提升磁性和結構穩定性, 而選用金披覆層的原因基於 (i) 在鐵鉑合金和金系統之間的不溶混性, (ii)界面間的針札效應, (iv)降低磁性粒子間的交換能 (Jex), (iii) 當在高溫下退火時,防止鐵鉑磁性奈米顆粒的氧化。 圖A顯示出在退火過程之前掃描電子顯微術圖像(SEM)。 從SEM 圖像中,我們能看見約有30%面積被FePt 奈米顆粒披覆在基板上。
B. 繞射異常精細結構光譜 (Diffraction anomalous fine structure)
圖B.顯示在日本SPring8同步輻射光束站BL12b2上所測量的出繞射異常精細結構光譜。繞射異常精細結構光譜主要測量出在變化入射光子能量下的彈性布拉格反射強度。這種方法結合了X光結晶繞射所提共的長程序敏感度,以及短程序X光吸收光譜的資訊。而在延伸精細結構的範圍,繞射異常精細結構光譜提供與EXAFS相同的短量序的結構訊息︰ 鍵結長度、鍵結數目、鄰近的原子種類、數目和圍繞原子與共振散佈的原子的鍵結混亂度。而在近吸收邊緣區,繞射異常精細結構光譜亦提供作為XANES的結構上的相同訊息以及資訊︰ 價帶,共振的原子的空軌域與鍵結的訊息。因為繞射異常精細結構光譜把繞射,EXAFS和XANES的能力結合為一種單一的技術,它與單獨的技術相比有兩種更佳提升的敏感性質︰
- 波長的選擇性。在選擇性被繞射的特殊原子群中,繞射異常精細結構光譜能提供EXAFS與XANES一樣的訊息。
- 原子所佔據位子的選擇性。
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Figure B. The XRD and diffraction anomalous fine structure spectrum of Au over FePt nanoparticles system annealed at 800 °C (solid circle at b), (a) which measured at qz equal to 2.806 A. (b) Also with standard order FePt L10 (open circle) and as-synthesis disorder FePt nanoparticles (open cubic). |