低維磁性與凡得瓦量子材料
探索原子級薄層材料中的磁序、相變、激子—自旋交互作用與介面鐵電性。
- 近期研究
- NiPS₃ 六態時鐘磁序與 WTe₂ 介面鐵電性
- 研究方法
- 低溫量測 · 電性與磁性量測 · 資料分析
Research Focus
以材料成長、磁性量測與理論模擬理解自旋如何產生、傳遞並與微觀結構交互作用。
探索原子級薄層材料中的磁序、相變、激子—自旋交互作用與介面鐵電性。
研究磁性薄膜與拓樸材料異質結構中的磁性鄰近效應、介面磁異向性及電荷—自旋耦合。
探討拓樸材料中的異常霍爾效應、Berry 曲率、能帶填充與熱電傳輸。
研究自旋流、自旋幫浦、自旋波傳播,以及自旋波與磁疇壁的交互作用。
Experimental Capabilities
實驗室結合薄膜製備、結構分析與物理性質量測,研究磁性材料、薄膜異質結構及其電性傳輸行為。
用途
利用電漿濺鍍製備金屬、合金與氧化物薄膜,支援奈米薄膜及多層結構的樣品製作。
量測原理
電漿中的離子撞擊靶材,使濺出的原子沉積於基板形成薄膜;渦輪分子幫浦則以高速旋轉葉片傳遞氣體分子動量,維持高真空環境。
用途
在高真空環境中進行薄膜沉積,用於製備磁性、超導及相關異質結構,支援材料介面與薄膜物性的研究。
量測原理
電漿中的離子撞擊靶材,使濺出的原子沉積於基板形成薄膜;冷凝幫浦則利用低溫表面捕捉氣體分子,維持高真空環境。
用途
用於分析材料的晶體結構、相組成與薄膜結晶特性。
量測原理
X 光受晶格週期排列產生布拉格繞射,藉由繞射峰的角度與強度分析晶體結構及相組成。
用途
量測材料中的自旋波與磁化動力學特性。
量測原理
雷射光子與材料中的磁振子發生非彈性散射,藉由散射光的頻率位移分析自旋波。
用途
提供可控制的溫度與外加磁場環境,可進行電阻隨溫度或磁場變化等電性傳輸量測,用以分析薄膜與量子材料的物理性質。
量測原理
在控制溫度與磁場的環境中量測樣品的電壓與電流反應,取得電阻及其他電性傳輸特性。
用途
以高靈敏度量測材料的磁化反應,可分析磁性隨溫度與外加磁場的變化。
量測原理
利用約瑟夫森接面與磁通量子化形成的量子干涉,將極微小的磁通變化轉換為可量測訊號。
Recent Publications
近年精選期刊論文,涵蓋低維磁性、拓樸輸運、介面磁性與鐵電性。
以兩種磁性絕緣體夾置拓樸絕緣體,觀察上下介面相反極性的異常霍爾效應,展示介面磁性與 Berry 曲率的可設計性。
DOI ↗比較 Fe 與 Ni 取代對能帶填充、熱電性質與異常霍爾傳輸的影響,釐清不同散射與內禀機制的角色。
DOI ↗單層 NiPS₃ 呈現與二維 BKT 態一致的行為;進一步降溫後,形成與六態時鐘模型一致的長程有序。
DOI ↗利用 WTe₂ 奇偶層數控制介面鐵電性,並以層間滑移解釋偶極切換,顯示高於 550 K 的鐵電轉變溫度。
DOI ↗Earlier Highlights
以鐵磁共振驗證強介面耦合與磁性鄰近效應,呈現拓樸表面態對磁矩動態的影響。
DOI ↗
以微磁模擬解析磁疇壁方向、自旋波穿透率與磁疇壁運動之間的耦合關係。
DOI ↗Members
我們結合材料、量測與計算觀點,共同探索自旋電子學與量子材料中的關鍵問題。
博士後研究員
ravish@as.edu.tw博士後研究員
suchitjean@as.edu.tw博士後研究員
jeetendra20@as.edu.tw博士生
link21215@gmail.com研究助理
chihhyu@as.edu.twJoin the Lab
我們歡迎對自旋電子學、低維磁性與量子材料感興趣的夥伴加入。無論你希望從研究專題開始探索,或投入更深入的學位與專業研究,都歡迎與我們聯繫。
探索原子級薄層材料中的鐵磁、反鐵磁與多鐵性,研究磁序、相變、激子—自旋交互作用及磁電耦合等新穎量子現象。
研究自旋流的產生、傳遞、偵測與操控,涵蓋自旋霍爾效應、自旋軌道力矩、自旋幫浦、自旋塞貝克效應,以及自旋波與磁疇壁動力學。
製備並研究磁性薄膜及異質結構,探討磁性鄰近效應、介面磁異向性、Dzyaloshinskii–Moriya 交互作用,以及介面中的電荷—自旋耦合。
探討拓樸材料與磁性系統中的異常霍爾效應、拓樸霍爾效應、Berry 曲率、Weyl 半金屬及拓樸自旋結構。
參與從薄膜製備、結構分析到低溫磁性與電性量測的完整研究流程,接觸 XRD、PPMS、SQUID 等實驗設備,並透過資料分析、理論模擬及國內外合作,培養獨立研究能力。
如果你對上述研究方向感興趣,請來信簡要介紹個人背景與研究興趣,並附上 CV。
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