研究成果

量子異常霍爾效應首次於大尺度及三維度鐵磁性拓樸絕緣體中獲得實驗證實

刊登日期:2014-09-27

異常霍爾效應描述磁性系統中異常霍爾電阻正比於其磁矩的現象。在一般鐵磁金屬與半導體中,異常霍爾電阻並無單一基本通用的數值(量子化)。然而在鐵磁性拓樸絕緣體中並且無外加磁場條件下,非簡單的本體能帶拓樸所形成的狄拉克錐形表面電子態會產生不同的有效質量區,進而衍生出無耗損的螺旋性邊界傳輸通道,並顯現出獨特的異常霍爾電阻量子化現象。由本所李偉立副研究員、李定國特聘研究員及美國加州大學洛杉磯分校王康隆教授所主導的跨國研究團隊,首次在鐵磁性拓樸絕緣體中進一步實驗證實此效應可擴展至大尺度及三維度的體系。此結果對於無耗損螺旋性邊界傳輸通道運用於降低電子元件能量耗損的可能性,提出正面的支持。完整的實驗結果已發表於物理評論通訊(Physical Review Letters).

files/bpic20140928112111am_pic20140927045247pm_QAHE_figure.jpg

期刊連結: http://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.113.137201

網站連結: http://www.phys.sinica.edu.tw/index_detail.php?id=research&newsid=354

Back To Top