高精密奈米粉末及薄膜樣品製備系統 (Nanoparticles & thin film system)

   本系統為自行組裝設計之奈米樣品製備系統，可用來製備奈米微粒及薄膜。

系統簡介

   本系統包括樣品製備真空腔、準分子雷射與樣品成長同步監控檢測系統，可利用準分子雷射濺鍍製造薄膜與奈米微粒。本系統真空可達10^-8~10^-9 torr，樣品座可加熱到550℃，可製備各種材質之薄膜。 控制真空腔惰性氣體壓力與雷射功率與週期，配合液氮樣品收集盤，可製作各種粒徑之奈米微粒。本系統有4個靶材可以置換，可製作多層膜。在薄膜成長的過程中可利用RHEED監控薄膜的品質與層數，以確保樣品的品質。 本系統裝有Plasma Monitor可同步監控plasma 之成分，以利樣品成長控制。

規格

真空腔尺寸： φ439mm H400mm

真空幫浦：機械幫浦、冷凍幫浦   

監控系統：RHEED，Plasma Monitor   

可成長樣品：奈米微粒、單晶薄膜   

樣品座：冷卻盤（可通液氮）、薄膜樣品座(可加熱到550℃)   

靶材座：可置放四個靶材

系統管理規則:

(1) 設置專業技術人員一名，負責管理及維護設備正常運作，並負責訓練及考核使用者。

(2) 依使用經驗與記錄區分使用者等級與開放權限。

(3) 違規者或長期未上機者將予以降級或停權。

(4) 預約時段以8小時為單位。

(5) 其餘規定配合奈米核心設施使用規章。

(詳細規則參見高精密奈米樣品製備系統管理辦法)