研究成果

複雜氧化物介面中類二維導電電洞層(q2DHG)存在的實驗證據

刊登日期:2018-11-27

類二維導電電子層(q2DEG)已在許多複雜氧化物的介面被發現,然而類二維導電電洞層(q2DHG)存在的可能性及實驗驗證仍然備受爭議。由本所李偉立副研究員與台大凝態中心朱明文研究員所領導的研究團隊,第一作者Akhilesh Singh 博士運用本所氧化物分子束磊晶系統成長出高品質的氧化物超薄磊晶薄膜樣品,並進一步製作場效 SrTiO3(6-uc)/LaAlO3(5-uc)/SrTiO3 (100) 元件以達成電場調控介面導電層之目的。透過完整的低溫電磁傳輸實驗量測與電場調控,搭配嚴格的傳輸模型分析與實驗數據的配合,我們實驗證實了q2DHG 確實可存在於複雜氧化物的介面。猶如電子與電洞可衍生出許不同特性的半導體元件, q2DHG 的存在除了將大幅擴展了複雜氧化物元件設計的可能性外,在基礎物理現象的探索與發掘也提供了一個新的方向。完整的研究報告已發表於 Physical Review Materials (Phys. Rev. Mater. 2, 114009 (2018)).

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網站連結: https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevMaterials.2.114009

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